Name: SI6913DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6913DQ-T1-GE3TR-ND
Price: 2.9512 EUR
Availability: InStock

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SI6913DQ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI6913DQ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI6913DQ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI6913DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI6913DQ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 4,9A 830mW Oberflächenmontage 8-TSSOP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,9A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	21mOhm bei 5,8A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	900mV bei 400µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	28nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	-
Leistung - Max.	830mW
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-TSSOP (0,173", 4,40mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-TSSOP
Basis-Produktnummer	SI6913