Name: SI6562CDQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.5946 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI6562CDQ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI6562CDQ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 6,7 A, 6,1 A 1,6W, 1,7W Oberflächenmontage 8-TSSOP
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI6562CDQ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,7 A, 6,1 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22mOhm bei 5,7A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	850pF bei 10V
Leistung - Max.	1,6W, 1,7W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-TSSOP (0,173", 4,40mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-TSSOP
Basis-Produktnummer	SI6562