Name: SI4943CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4943CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.4871 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4943CDY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4943CDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4943CDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4943CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4943CDY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 8A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4943CDY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	19,2mOhm bei 8,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	62nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1945pF bei 10V
Leistung - Max.	3,1W
Betriebstemperatur	-50°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	SI4943