SI4936BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

SI4936BDY-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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SI4936BDY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4936BDY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4936BDY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4936BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4936BDY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 6,9A 2,8W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,9A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	35mOhm bei 5,9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	530pF bei 15V
Leistung - Max.	2,8W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	SI4936