
SI4816BDY-T1-E3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SI4816BDY-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4816BDY-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4816BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SI4816BDY-T1-E3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 5,8 A, 8,2 A 1W, 1,25W Oberflächenmontage 8-SOIC |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SI4816BDY-T1-E3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | Logikpegel-Gate | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 5,8 A, 8,2 A | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 18,5mOhm bei 6,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 10nC bei 5V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | - | |
Leistung - Max. | 1W, 1,25W | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite) | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 8-SOIC | |
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,05000 € | 2,05 € |
| 10 | 1,31400 € | 13,14 € |
| 100 | 0,89550 € | 89,55 € |
| 500 | 0,71664 € | 358,32 € |
| 1.000 | 0,70037 € | 700,37 € |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 2.500 | 0,59690 € | 1.492,25 € |
| 5.000 | 0,57220 € | 2.861,00 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,05000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,43950 € |







