Name: VS-MPY038P120
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-MPY038P120-ND
Price: 113.6926 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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VS-MPY038P120
DigiKey-Teilenr.	112-VS-MPY038P120-ND
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Hersteller-Teilenummer	VS-MPY038P120
Beschreibung	POWER MODULE, FULL BRIDGE INVERT
Standardlieferzeit des Herstellers	31 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 43A 93W Chassisbefestigung
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Serie	-
Verpackung	Box
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration	4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	43A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	49,8mOhm bei 40A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	100nC bei 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2979pF bei 1000V
Leistung - Max.	93W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle	Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten	-