Name: SSM6L40TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6L40TULFTR-ND
Price: 0.6307 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SSM6L40TU,LF
DigiKey-Teilenr.	SSM6L40TULFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SSM6L40TULFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) SSM6L40TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	SSM6L40TU,LF
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 1.6A UF6
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 1,6A (Ta), 1,4A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage UF6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SSM6L40TU,LF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	Logikpegel-Gatter, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,6A (Ta), 1,4A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	122mOhm bei 1A, 10V, 226mOhm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,6V bei 1mA, 2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	5,1nC bei 10V, 2,9nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	180pF bei 15V, 120pF bei 15V
Leistung - Max.	500mW (Ta)
Betriebstemperatur	150°C
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	6-SMD, flache Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	UF6
Basis-Produktnummer	SSM6L40