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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,02424 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 6.000
Stückpreis : 0,05419 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 22.432
Stückpreis : 0,14000 €
Datenblatt

Upgrade


Infineon Technologies
Vorrätig: 2.361
Stückpreis : 0,21000 €
Datenblatt

Upgrade


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,13000 €
Datenblatt

Upgrade


Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,10000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 8.553
Stückpreis : 0,20000 €
Datenblatt

Ähnlich


Diodes Incorporated
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,17000 €
Datenblatt

Ähnlich


Panasonic Electronic Components
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,20000 €

Ähnlich


Panasonic Electronic Components
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,05387 €

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,20000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 43.318
Stückpreis : 0,20000 €
Datenblatt

Ähnlich


Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,22000 €
Datenblatt
SOT-23-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RN2404TE85LF

DigiKey-Teilenr.
RN2404TE85LFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
RN2404TE85LF
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung PNP mit Vorspannung 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Oberflächenmontage S-Mini
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
PNP mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50 V
Widerstände enthalten
R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 bei 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV bei 250µA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max.
200 mW
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Manufacturer Quote Required
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