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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

RN1905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 3.951
Stückpreis : 0,20000 €
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

RN1905,LXHF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 3.000
Stückpreis : 0,43000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz

MUN5235DW1T1G
onsemi
Vorrätig: 41.692
Stückpreis : 0,20000 €
Datenblatt

Upgrade

DCX123JU-7-F
Diodes Incorporated
Vorrätig: 61.602
Stückpreis : 0,24000 €
Datenblatt

Ähnlich

NSVMUN5235DW1T1G
onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,07483 €
Datenblatt

Ähnlich

PUMD10,115
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,26000 €
Datenblatt

Ähnlich

PUMD10,125
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 206
Stückpreis : 0,24000 €
Datenblatt

Ähnlich

PUMD10,135
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 32
Stückpreis : 0,29000 €
Datenblatt

Ähnlich

PUMD48,115
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,21000 €
Datenblatt

Ähnlich

PUMD48,125
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 2.850
Stückpreis : 0,26000 €
Datenblatt

Ähnlich

PUMD48,165
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,21000 €
Datenblatt

Ähnlich

PUMH10,115
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,23000 €
Datenblatt

Ähnlich

PUMH10Z
Nexperia USA Inc.
Vorrätig: 9.305
Stückpreis : 0,26000 €
Datenblatt

Ähnlich

SMUN5235DW1T1G
onsemi
Vorrätig: 18.581
Stückpreis : 0,23000 €
Datenblatt
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6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RN1905(T5L,F,T)

DigiKey-Teilenr.
RN1905(T5LFT)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer
RN1905(T5L,F,T)
Beschreibung
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 2 NPN - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 250MHz 200mW Oberflächenmontage US6
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
RN1905(T5L,F,T) Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
2 NPN - vorgespannt (zweif.)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Widerstand - Basis (R1)
2,2kOhm
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
47kOhm
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 bei 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
300mV bei 250µA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
250MHz
Leistung - Max.
200mW
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gehäusetyp vom Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
RN1905
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