Name: RN1106MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1106MFVL3FTR-ND
Price: 0.1547 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RN1106MFV,L3F
DigiKey-Teilenr.	RN1106MFVL3FTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RN1106MFVL3FCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RN1106MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	RN1106MFV,L3F
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln mit Vorspannung NPN mit Vorspannung 50 V 100 mA 150 mW Oberflächenmontage VESM
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RN1106MFV,L3F Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne, vorgespannte bipolare Transistoren
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	NPN mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	100 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50 V
Widerstände enthalten	R1 und R2
Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)	47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	80 bei 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	300mV bei 500µA, 5mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	500nA
Leistung - Max.	150 mW
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SOT-723
Gehäusetyp vom Lieferanten	VESM
Basis-Produktnummer	RN1106

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