MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Diskrete Halbleiterprodukte

MT3S20P(TE12L,F) ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

MT3S20P(TE12L,F)
DigiKey-Teilenr.	MT3S20P(TE12LF)TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	MT3S20P(TE12L,F)
Beschreibung	RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	HF-Transistor NPN 12V 80mA 7GHz 1,8W Oberflächenmontage PW-MINI

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Bipolare HF-Transistoren
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	12V
Frequenz - Übergang	7GHz
Rauschzahl (dB typ. bei f)	1,45dB bei 1GHz
Verstärkung	16,5dB
Leistung - Max.	1,8W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	100 bei 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	80mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	TO-243AA
Gehäusetyp vom Lieferanten	PW-MINI
Basis-Produktnummer	MT3S20