Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 6.7235 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GT50JR22(STA1,E,S)
DigiKey-Teilenr.	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	GT50JR22(STA1,E,S)
Beschreibung	IGBT 600V 50A TO-3P
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 600 V 50 A 230 W Durchkontaktierung TO-3P(N)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	50 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	100 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,2V bei 15V, 50A
Leistung - Max.	230 W
Schaltenergie	-
Eingangstyp	Standard
Td (on/off) bei 25°C	-
Testbedingung	-
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P(N)

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	5,65000 €	5,65 €
25	3,31840 €	82,96 €
100	2,76250 €	276,25 €
500	2,35898 €	1.179,49 €

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