Name: GT40QR21(STA1,E,D
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT40QR21(STA1ED-ND
Price: 5.4502 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GT40QR21(STA1,E,D
DigiKey-Teilenr.	264-GT40QR21(STA1ED-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	GT40QR21(STA1,E,D
Beschreibung	IGBT 1200V 40A TO-3P
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 1200 V 40 A 230 W Durchkontaktierung TO-3P(N)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	40 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	80 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,7V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	230 W
Schaltenergie	-, 290µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Td (on/off) bei 25°C	-
Testbedingung	280V, 40A, 10Ohm, 20V
Umkehrerholungszeit (trr)	600 ns
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P(N)
Basis-Produktnummer	GT40QR21

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1	4,58000 €	4,58 €
25	2,64880 €	66,22 €
100	2,18760 €	218,76 €
500	1,81846 €	909,23 €
1.000	1,78246 €	1.782,46 €

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