ACEPAK DMT-32
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

M1F45M12W2-1LA

DigiKey-Teilenr.
497-M1F45M12W2-1LA-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
M1F45M12W2-1LA
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V ACEPACK DMT
Standardlieferzeit des Herstellers
19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 30 A (Tc) Durchkontaktierung ACEPACK DMT-32
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
STMicroelectronics
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-Kanal
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
64mOhm bei 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
100nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2086pF bei 800V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
32-PowerDIP-Modul (1,264", 32,10mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
ACEPACK DMT-32
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