Name: UMZ1NTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: UMZ1NTRTR-ND
Price: 0.4403 EUR
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

UMZ1NTR
Digi-Key-Teilenr.	UMZ1NTRTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) UMZ1NTRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) UMZ1NTRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	UMZ1NTR
Beschreibung	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays NPN/PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Oberflächenmontage UMT6
Kundenreferenz
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Gehäuse	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	NPN/PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	50V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	400mV bei 5mA, 50mA, 500mV bei 5mA, 50mA
Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.)	100 nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	120 bei 1mA, 6V
Leistung - Max.	150mW
Frequenz - Übergang	180MHz, 140MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gehäusetyp vom Lieferanten	UMT6
Basis-Produktnummer	UMZ1

Dokumente und Medien

Ressourcentyp	Link
Datenblätter	EMZ1, UMZ1N, IMZ1A UMT6 TR Taping Spec
Sonstige zugehörige Dokumente	UMT6 Inner Structure Transistor, MOSFET Flammability UMT6 BIP Reliability Test UMT6 Part Marking
Informationen zur Umweltverträglichkeit	Transistor Whisker Info UMZ1N ESD Data UMT6 Constitution Material List Transistor, MOSFET Level 1 MSL
Datenblatt (HTML)	UMT6 TR Taping Spec
EDA-/CAD-Modelle	UMZ1NTR by Ultra Librarian
Simulationsmodelle	UMZ1N Spice Model