Name: RGTVX6TS65DGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RGTVX6TS65DGC11-ND
Price: 10.3649 EUR
Availability: InStock

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RGTVX6TS65DGC11
DigiKey-Teilenr.	RGTVX6TS65DGC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGTVX6TS65DGC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 144A TO-247N
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 144 A 404 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RGTVX6TS65DGC11 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	144 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	320 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,9V bei 15V, 80A
Leistung - Max.	404 W
Schaltenergie	2,65mJ (Ein), 1,8mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	171 nC
Td (on/off) bei 25°C	45ns/201ns
Testbedingung	400V, 80A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	109 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Basis-Produktnummer	RGTVX6

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