Name: RGS80TS65DHRC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RGS80TS65DHRC11-ND
Price: 8.5799 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

RGS80TS65DHRC11
DigiKey-Teilenr.	846-RGS80TS65DHRC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGS80TS65DHRC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 650V 73A TO-247N
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 650 V 73 A 272 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	RGS80TS65DHRC11 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	73 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	120 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 40A
Leistung - Max.	272 W
Schaltenergie	1,05mJ (Ein), 1,03mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	48 nC
Td (on/off) bei 25°C	37ns/112ns
Testbedingung	400V, 40A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	103 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Basis-Produktnummer	RGS80

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	7,21000 €	7,21 €
30	3,82367 €	114,71 €
120	3,60917 €	433,10 €
510	3,45157 €	1.760,30 €

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