Name: RGS30TSX2DHRC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RGS30TSX2DHRC11-ND
Price: 8.1039 EUR
Availability: InStock

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RGS30TSX2DHRC11
DigiKey-Teilenr.	846-RGS30TSX2DHRC11-ND
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RGS30TSX2DHRC11
Beschreibung	IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247N
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Feldstopp 1200 V 30 A 267 W Durchkontaktierung TO-247N
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	Trench Feldstopp
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	30 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	45 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,1V bei 15V, 15A
Leistung - Max.	267 W
Schaltenergie	740µJ (Ein), 600µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	41 nC
Td (on/off) bei 25°C	30ns/70ns
Testbedingung	600V, 15A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	157 ns
Betriebstemperatur	-40°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247N
Basis-Produktnummer	RGS30

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30	4,00467 €	120,14 €
120	3,60167 €	432,20 €

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