Name: QS8M31TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8M31TR-ND
Price: 1.2495 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

QS8M31TR
DigiKey-Teilenr.	QS8M31TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) QS8M31CT-ND - Gurtabschnitt (CT) QS8M31DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	QS8M31TR
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) Oberflächenmontage TSMT8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	N- und P-Kanal
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3A (Ta), 2A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	112mOhm bei 3A, 10V, 210mOhm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA, 3V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4nC bei 5V, 7,2nC bei 5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	270pF bei 10V, 750pF bei 10V
Leistung - Max.	1,1W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flache Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSMT8
Basis-Produktnummer	QS8M31