Name: QS8J4TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J4TR-ND
Price: 1.6898 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

QS8J4TR
DigiKey-Teilenr.	QS8J4TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) QS8J4CT-ND - Gurtabschnitt (CT) QS8J4DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	QS8J4TR
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 4A 550mW Oberflächenmontage TSMT8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	QS8J4TR Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	56mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	800pF bei 10V
Leistung - Max.	550mW
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flache Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSMT8
Basis-Produktnummer	QS8J4