Name: QS8J13TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8J13TR-ND
Price: 1.2852 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

QS8J13TR
DigiKey-Teilenr.	QS8J13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) QS8J13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) QS8J13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	QS8J13TR
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 5,5A 1,25W Oberflächenmontage TSMT8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,5A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	22mOhm bei 5,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6300pF bei 6V
Leistung - Max.	1,25W
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SMD, flache Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSMT8
Basis-Produktnummer	QS8J13