MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Chassisbefestigung Modul
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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Chassisbefestigung Modul
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
4th Gen SiC MOSFETs

BSM180D12P2E002

DigiKey-Teilenr.
846-BSM180D12P2E002-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
BSM180D12P2E002
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 204A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 204 A (Tc) 1360W (Tc) Chassisbefestigung Modul
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 35,2mA
Hersteller
Rohm Semiconductor
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
18000pF bei 10V
Verpackung
Lose im Beutel
Leistung - Max.
1360W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Konfiguration
2 N-Kanal (Halbbrücke)
Gehäuse / Hülle
Modul
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
204 A (Tc)
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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1574,96000 €574,96 €
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