MOSFETs - Arrays 100V Durchkontaktierung APM21-CGA
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MOSFETs - Arrays 100V Durchkontaktierung APM21-CGA
21 PowerDIP

NXV10V125DT1

DigiKey-Teilenr.
488-NXV10V125DT1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXV10V125DT1
Beschreibung
MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 100V Durchkontaktierung APM21-CGA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
6 N-Kanal (Dreiphasen-Wechselrichter)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,2mOhm bei 80A, 12V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
101nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6970pF bei 50V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
21-poliges PowerDIP-Modul (1,370", 34,80mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
APM21-CGA
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