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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
NXH006P120M3F2PTHG | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 5556-NXH006P120M3F2PTHG-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | NXH006P120M3F2PTHG |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 191A (Tc) 556W (Tc) Chassisbefestigung 36-PIM (56,7x62,8) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Hersteller | onsemi | |
Serie | - | |
Verpackung | Tablett | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | Siliziumkarbid (SiC) | |
Konfiguration | 2 N-Kanal (Halbbrücke) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 191A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 8mOhm bei 100A, 18V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,4V bei 80mA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 622nC bei 20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 11914pF bei 800V | |
Leistung - Max. | 556W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -40°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Chassisbefestigung | |
Gehäuse / Hülle | Modul | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | 36-PIM (56,7x62,8) | |
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 4
Bestand des Herstellers: 1.040
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Menge
Alle Preise in EUR
Tablett
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 126,86000 € | 126,86 € |
| 20 | 112,67850 € | 2.253,57 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 126,86000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 150,96340 € |
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