MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 55 A (Tc) 319W (Tc) Durchkontaktierung APM32
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NVXK2VR40WXT2

DigiKey-Teilenr.
5556-NVXK2VR40WXT2-ND
Hersteller
onsemi
Hersteller-Teilenummer
NVXK2VR40WXT2
Beschreibung
MOSFET 6N-CH 1200V 55A APM32
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 55 A (Tc) 319W (Tc) Durchkontaktierung APM32
Datenblatt
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
6 N-Kanal (3-Phasen-Brücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
55 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
59mOhm bei 35A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,3V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
106nC bei 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1789pF bei 800V
Leistung - Max.
319W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
32-poliges PowerDIP-Modul (1,449", 36,80mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
APM32
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