Name: NVMFD027N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFD027N10MCLT1GTR-ND
Price: 2.0706 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NVMFD027N10MCLT1G
DigiKey-Teilenr.	488-NVMFD027N10MCLT1GTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NVMFD027N10MCLT1GCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NVMFD027N10MCLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NVMFD027N10MCLT1G
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 7.4A 8DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 7,4A (Ta), 28A (Tc) 3,1W (Ta), 46W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,4A (Ta), 28A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	26mOhm bei 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 38µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	720pF bei 50V
Leistung - Max.	3,1W (Ta), 46W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)