Name: NTTFD4D1N03P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND
Price: 2.0587 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

NTTFD4D1N03P1E
DigiKey-Teilenr.	488-NTTFD4D1N03P1ETR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 488-NTTFD4D1N03P1ECT-ND - Gurtabschnitt (CT) 488-NTTFD4D1N03P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NTTFD4D1N03P1E
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 12A 12WQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 12 A (Ta), 54 A (Tc) 1W (Ta), 20W (Tc) Oberflächenmontage 12-WQFN (3,3x3,3)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	NTTFD4D1N03P1E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Ta), 54 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,3mOhm bei 10A, 10V, 3,5mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 270µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15nC bei 10V, 14nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1103pF bei 15V, 972pF bei 15V
Leistung - Max.	1W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	12-PowerWQFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	12-WQFN (3,3x3,3)
Basis-Produktnummer	NTTFD4