MOSFETs - Arrays 30V 9,1 A, 13,7 A 1,09W, 1,15W Oberflächenmontage 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrisch)
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NTMFD4C20NT1G

DigiKey-Teilenr.
NTMFD4C20NT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
NTMFD4C20NT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NTMFD4C20NT1G
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 30V 9,1 A, 13,7 A 1,09W, 1,15W Oberflächenmontage 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrisch)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
2,1V bei 250µA
Hersteller
onsemi
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9,3nC bei 4,5V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
970pF bei 15V
Status der Komponente
Obsolet
Leistung - Max.
1,09W, 1,15W
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9,1 A, 13,7 A
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrisch)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,3mOhm bei 10A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Alle Preise in EUR
Gurtabschnitt (CT)
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