MOSFETs - Arrays 30V 9,1 A, 13,7 A 1,09W, 1,15W Oberflächenmontage 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrisch)
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NTMFD4C20NT1G

DigiKey-Teilenr.
NTMFD4C20NT1GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
NTMFD4C20NT1GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NTMFD4C20NT1G
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/13.7A 8DFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 30V 9,1 A, 13,7 A 1,09W, 1,15W Oberflächenmontage 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrisch)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
onsemi
Serie
-
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente
Obsolet
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
9,1 A, 13,7 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,3mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9,3nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
970pF bei 15V
Leistung - Max.
1,09W, 1,15W
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrisch)
Basis-Produktnummer
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