Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W Oberflächenmontage DPAK
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NJVMJD45H11G

DigiKey-Teilenr.
NJVMJD45H11GOS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NJVMJD45H11G
Beschreibung
TRANS PNP 80V 8A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Leistung - Max.
1.75 W
Herst.
Frequenz - Übergang
90MHz
Verpackung
Stange
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Status der Komponente
Aktiv
Klasse
Automobiltechnik
Transistor-Typ
Qualifizierung
AEC-Q101
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Montagetyp
Oberflächenmontage
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V bei 400mA, 8A
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1µA
Basis-Produktnummer
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 bei 4A, 1V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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