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MJD31C1G ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
Vom Hersteller empfohlen
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MJD31C1G | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | MJD31C1GOS-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | MJD31C1G |
Beschreibung | TRANS NPN 100V 3A IPAK |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Durchkontaktierung IPAK |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 10 bei 3A, 4V |
Herst. | Leistung - Max. 1.56 W |
Verpackung Stange | Frequenz - Übergang 3MHz |
Status der Komponente Obsolet | Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ) |
Transistor-Typ | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3 A | Gehäuse / Hülle TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten IPAK |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 1,2V bei 375mA, 3A | Basis-Produktnummer |
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 50µA |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| MJD31CT4G | onsemi | 55.888 | MJD31CT4GOSCT-ND | 0,80000 € | Vom Hersteller empfohlen |
Obsolet
