Name: MJD112T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD112T4GOSTR-ND
Price: 1.1067 EUR
Availability: InStock

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MJD112T4G
DigiKey-Teilenr.	MJD112T4GOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) MJD112T4GOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) MJD112T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	MJD112T4G
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MJD112T4G Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 1000 bei 2A, 3V
Herst. onsemi	Leistung - Max. 20 W
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Frequenz - Übergang 25MHz
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN - Darlington	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2 A	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 3V bei 40mA, 4A	Basis-Produktnummer MJD112
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 20µA