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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
MJD112G | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | MJD112GOS-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | MJD112G |
Beschreibung | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Oberflächenmontage DPAK |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | MJD112G Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 1000 bei 2A, 3V |
Herst. | Leistung - Max. 1.75 W |
Verpackung Stange | Frequenz - Übergang 25MHz |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ) |
Transistor-Typ | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2 A | Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63 |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100 V | Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK |
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 3V bei 40mA, 4A | Basis-Produktnummer |
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 20µA |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 75 | 0,37773 € | 28,33 € |
| 150 | 0,33553 € | 50,33 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 0,37773 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 0,44950 € |
