Name: MJD112-1G
Brand: onsemi
SKU: MJD112-1GOS-ND
Price: 1.6422 EUR
Availability: InStock

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MJD112-1G
DigiKey-Teilenr.	MJD112-1GOS-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	MJD112-1G
Beschreibung	TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	14 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Durchkontaktierung IPAK
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	MJD112-1G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	100 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	3V bei 40mA, 4A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	1000 bei 2A, 3V
Leistung - Max.	1.75 W
Frequenz - Übergang	25MHz
Betriebstemperatur	-65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-251-3 mit kurzen Pins, IPAK, TO-251AA
Gehäusetyp vom Lieferanten	IPAK
Basis-Produktnummer	MJD112

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1	1,38000 €	1,38 €
75	0,61293 €	45,97 €
150	0,54853 €	82,28 €
525	0,45680 €	239,82 €
1.050	0,41710 €	437,96 €
2.025	0,38530 €	780,23 €
5.025	0,34909 €	1.754,18 €
10.050	0,33371 €	3.353,79 €

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