Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 10 A 50MHz 2 W Oberflächenmontage D2PAK
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 10 A 50MHz 2 W Oberflächenmontage D2PAK
D²Pak,TO-263_418B−04

MJB44H11G

DigiKey-Teilenr.
MJB44H11GOS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MJB44H11G
Beschreibung
TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 10 A 50MHz 2 W Oberflächenmontage D2PAK
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Transistor-Typ
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V bei 400mA, 8A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 bei 4A, 1V
Leistung - Max.
2 W
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Gehäusetyp vom Lieferanten
D2PAK
Basis-Produktnummer
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