KSD1616AYTA onsemi | Einzelne bipolare transistoren

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KSD1616AYTA
DigiKey-Teilenr.	KSD1616AYTACT-ND - Gurtabschnitt (CT) KSD1616AYTATB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	KSD1616AYTA
Beschreibung	TRANS NPN 60V 1A TO-92-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 60 V 1 A 160MHz 750 mW Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 135 bei 100mA, 2V
Herst. onsemi	Leistung - Max. 750 mW
Verpackung Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Frequenz - Übergang 160MHz
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Transistor-Typ NPN	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1 A	Gehäuse / Hülle TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-92-3
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV bei 50mA, 1A	Basis-Produktnummer KSD1616
Strom - Kollektor, Reststrom (max.) 100 nA (ICBO)

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