HGTG11N120CND onsemi | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

HGTG11N120CND
DigiKey-Teilenr.	HGTG11N120CND-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	HGTG11N120CND
Beschreibung	IGBT NPT 1200V 43A TO-247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT NPT 1200 V 43 A 298 W Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	onsemi
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
IGBT-Typ	NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	43 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	80 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,4V bei 15V, 11A
Leistung - Max.	298 W
Schaltenergie	950µJ (Ein), 1,3mJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	100 nC
Td (on/off) bei 25°C	23ns/180ns
Testbedingung	960V, 11A, 10Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	70 ns
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Basis-Produktnummer	HGTG11

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