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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
FGA6560WDF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | FGA6560WDF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | FGA6560WDF |
Beschreibung | IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-3PN |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | IGBT Trench Feldstopp 650 V 120 A 306 W Durchkontaktierung TO-3PN |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Eingangstyp Standard |
Hersteller onsemi | Gate-Ladung 84 nC |
Verpackung Stange | Td (on/off) bei 25°C 25,6ns/71ns |
Status der Komponente Obsolet | Testbedingung 400V, 60A, 6Ohm, 15V |
IGBT-Typ Trench Feldstopp | Umkehrerholungszeit (trr) 110 ns |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650 V | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120 A | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 180 A | Gehäuse / Hülle TO-3P-3, SC-65-3 |
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,3V bei 15V, 60A | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3PN |
Leistung - Max. 306 W | Basis-Produktnummer |
Schaltenergie 2,46mJ (Ein), 520µJ (Aus) |
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