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Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung 1 NPN, 1 PNP - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 500mW Oberflächenmontage SOT-563
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

EMD4DXV6T5G

DigiKey-Teilenr.
EMD4DXV6T5G-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
EMD4DXV6T5G
Beschreibung
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays mit Vorspannung 1 NPN, 1 PNP - vorgespannt (zweif.) 50V 100mA 500mW Oberflächenmontage SOT-563
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
EMD4DXV6T5G Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
80 bei 5mA, 10V
Hersteller
onsemi
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
250mV bei 300µA, 10mA
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
500nA
Status der Komponente
Obsolet
Leistung - Max.
500mW
Transistor-Typ
1 NPN, 1 PNP - vorgespannt (zweif.)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100mA
Gehäuse / Hülle
SOT-563, SOT-666
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
50V
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-563
Widerstand - Basis (R1)
47kOhm, 10kOhm
Basis-Produktnummer
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
47kOhm
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (11)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
EMD4DXV6T1Gonsemi10.444EMD4DXV6T1GOSCT-ND0,32000 €Vom Hersteller empfohlen
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