Name: AFGB40T65SQDN
Brand: onsemi
SKU: AFGB40T65SQDNOSTR-ND
Price: 6.6402 EUR
Availability: InStock

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AFGB40T65SQDN
DigiKey-Teilenr.	AFGB40T65SQDNOSTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) AFGB40T65SQDNOSCT-ND - Gurtabschnitt (CT) AFGB40T65SQDNOSDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	AFGB40T65SQDN
Beschreibung	IGBT 650V 80A TO-263
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 650 V 80 A 238 W Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	AFGB40T65SQDN Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs	Gate-Ladung 76 nC
Hersteller onsemi	Td (on/off) bei 25°C 17,6ns/75,2ns
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Status der Komponente Aktiv	Umkehrerholungszeit (trr) 131 ns
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650 V	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80 A	Klasse Automobiltechnik
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 160 A	Qualifizierung AEC-Q101
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,1V bei 15V, 40A	Montagetyp Oberflächenmontage
Leistung - Max. 238 W	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Schaltenergie 858µJ (Ein), 229µJ (Aus)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Eingangstyp Standard	Basis-Produktnummer AFGB40