56-VFQFN
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
56-VFQFN
56-QFN

TC8020K6-G

DigiKey-Teilenr.
TC8020K6-G-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TC8020K6-G
Beschreibung
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56QFN
Standardlieferzeit des Herstellers
4 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 200V Oberflächenmontage 56-QFN (8x8)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TC8020K6-G Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Microchip Technology
Serie
-
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
6 N- und 6 P-Kanal
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8Ohm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50pF bei 25V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
56-VFQFN mit freiliegendem Pad
Gehäusetyp vom Lieferanten
56-QFN (8x8)
Basis-Produktnummer
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