IGBT PT 600 V 100 A 463 W Durchkontaktierung TO-247 [B]
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APT30GP60BDQ1G

DigiKey-Teilenr.
APT30GP60BDQ1G-ND
Hersteller
Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer
APT30GP60BDQ1G
Beschreibung
IGBT PT 600V 100A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT PT 600 V 100 A 463 W Durchkontaktierung TO-247 [B]
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Microchip Technology
Serie
POWER MOS 7®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
IGBT-Typ
PT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)
120 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,7V bei 15V, 30A
Leistung - Max.
463 W
Schaltenergie
260µJ (Ein), 250µJ (Aus)
Eingangstyp
Standard
Gate-Ladung
90 nC
Td (on/off) bei 25°C
13ns/55ns
Testbedingung
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 [B]
Basis-Produktnummer
APT30GP60
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