Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 800 mW Durchkontaktierung TO-39 (TO-205AD)
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2N3019S

DigiKey-Teilenr.
2N3019S-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
2N3019S
Beschreibung
TRANS NPN 80V 1A TO39
Standardlieferzeit des Herstellers
40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 80 V 1 A 800 mW Durchkontaktierung TO-39 (TO-205AD)
EDA/CAD-Modelle
2N3019S Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
10µA (ICBO)
Herst.
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
50 bei 500mA, 10V
Verpackung
Lose im Beutel
Leistung - Max.
800 mW
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-65°C bis 200°C (TJ)
Transistor-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Gehäuse / Hülle
TO-205AD, TO-39-3 Metallgehäuse
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-39 (TO-205AD)
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
500mV bei 50mA, 500mA
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Lose im Beutel
Menge Stückpreis Gesamtpreis
117,40000 €17,40 €
10016,15670 €1.615,67 €
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:17,40000 €
Stückpreis mit MwSt.:20,70600 €