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N-Kanal, Verarmungsmodus 100 V 16 A (Tc) 830W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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IXTH16N10D2

DigiKey-Teilenr.
IXTH16N10D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH16N10D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 16A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 100 V 16 A (Tc) 830W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
64mOhm bei 8A, 0V
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
225 nC @ 5 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5700 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
830W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
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