Name: IXTA6N50D2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA6N50D2-ND
Price: 10.7338 EUR
Availability: InStock

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IXTA6N50D2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTA6N50D2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA6N50D2
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 6 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Depletion
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal, Verarmungsmodus
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	500mOhm bei 3A, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id	-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	96 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263AA
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IXTA6

Fragen und Antworten zum Produkt

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50	5,02500 €	251,25 €
100	4,64070 €	464,07 €
500	4,20514 €	2.102,57 €

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