N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 6 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
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IXTA6N100D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTA6N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTA6N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 6 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IXTA6N100D2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
95 nC @ 5 V
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2650 pF @ 25 V
Verpackung
Stange
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ
Montagetyp
Oberflächenmontage
Technologie
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäuse / Hülle
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,2Ohm bei 3A, 0V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
19,49000 €9,49 €
505,29080 €264,54 €
1004,88630 €488,63 €
5004,17844 €2.089,22 €
1.0004,13795 €4.137,95 €
Standardverpackung des Herstellers
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