TO-263AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTA08N100D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTA08N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTA08N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
-
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
21Ohm bei 400mA, 0V
Vgs(th) (max.) bei Id
-
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14.6 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
325 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,43000 €3,43 €
501,74400 €87,20 €
1001,58100 €158,10 €
5001,29524 €647,62 €
1.0001,20348 €1.203,48 €
2.0001,15736 €2.314,72 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:4,08170 €