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238~SOT227B~~4
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFN55N50F

DigiKey-Teilenr.
IXFN55N50F-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFN55N50F
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 55 A (Tc) 600W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
85mOhm bei 27,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 8mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6700 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-227B
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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