FII30-12E

DigiKey-Teilenr.
FII30-12E-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FII30-12E
Beschreibung
IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
IGBT Array NPT Halbbrücke 1200 V 33 A 150 W Durchkontaktierung ISOPLUS i4-PAC™
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Hersteller
IXYS
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
IGBT-Typ
NPT
Konfiguration
Halbbrücke
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
33 A
Leistung - Max.
150 W
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic
2,9V bei 15V, 20A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
200 µA
Eingangskapazität (Cies) bei Vce
1.2 nF @ 25 V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
Nein
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
i4-Pac™-5
Gehäusetyp vom Lieferanten
ISOPLUS i4-PAC™
Basis-Produktnummer