PSRAM (Pseudo-SRAM) Speicher IC 512Mbit SPI - Oktal-I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA (6x8)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

S80KS5123GABHB020

DigiKey-Teilenr.
448-S80KS5123GABHB020-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
S80KS5123GABHB020
Beschreibung
IC PSRAM 512MBIT SPI/OCTL 24FBGA
Standardlieferzeit des Herstellers
35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
PSRAM (Pseudo-SRAM) Speicher IC 512Mbit SPI - Oktal-I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA (6x8)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
S80KS5123GABHB020 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HYPERRAM™
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Von DigiKey programmierbar
Nicht verifiziert
Speichertyp
Flüchtig
Speicherformat
PSRAM
Technologie
PSRAM (Pseudo-SRAM)
Speichergröße
512Mbit
Speicherorganisation
64M x 8
Speicherschnittstelle
SPI - Oktal-I/O
Taktfrequenz
200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
35ns
Zugriffszeit
35 ns
Spannung - Versorgung
1,7V bis 2V
Betriebstemperatur
-40°C bis 105°C (TA)
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle
24-VBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
24-FBGA (6x8)
Basis-Produktnummer
S80KS5123
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